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高纯气路输送管路如何避免微粒污染

发布时间:2017-11-08 作者:未知  来源:未知
    随着微电子工业的发展,超大规模集成电路制造的硅片尺寸越做越大,要求半导体制造工艺中的气体品质相应越来越高,对气体中杂质和露点要求极为严格,需要达到ppb、ppt级,尘埃粒径求控制小于0.1~0.05m的微粒,因此对高纯气体的输送管路系统提出了非常高的要求 。那么高纯气路输送管路如何避免微粒污染,下面高纯气体管道工程就来为大家进行介绍。
    工艺气体中的杂质( 02、H202、 C02、 C0,等),由于在半导体制造工艺中形成氧化膜而导致质量下降。而气体中含有的微粒,几乎在半导体制造的整个过程中都有影响。在热处理工序中,碱金属微粒使氧化膜和硅的界面特性产生异常,引起耐压性差或电气特性劣化 。
    另外,在高温处理中,重金属微粒向硅的内部侵入扩散,诱发结晶缺陷,是导致半导体器件特性裂化的原因。另外,在腐蚀工序中,微粒附着在硅片上,是导致接触部分和周围的腐蚀加工精度降低 的原因。因此高纯气体中含尘量比其纯度在一定意义上显得更为重要,控制微粒污染成为高纯气体输送管路的一个核心 内容。微粒污染源来自两个方面:一 是粘附
在管壁上的微粒 ,二是因磨损或腐蚀 等原因管壁产生的微粒。
    在配管系统上应分段设置过滤器来去除微粒,通常应采用两级以上的气体过滤。在洁净厂房内一般设置预过滤器和高精度末端气体过滤器,预过滤器是设在洁净厂房的气体入口室的气体干管上,对气体进行预过滤,以减轻末端气体过滤器的负担,并延长其使用寿命,高精度末端气体过滤器应设在邻近用气点处。
    在系统设计中,应充分考虑系统末端的放散管,各主管和支干管末端的吹扫阀及必要的取样口,为运行前的吹扫、置换和维修带来方便,系统中应减少不流动气体的“死空间”,不应出现“盲管”等不易吹除的死角,以避免微粒的积聚。